Datasheet SPD08P06P G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK — Даташит

Infineon SPD08P06P G

Наименование модели: SPD08P06P G

Купить SPD08P06P G на РадиоЛоцман.Цены — от 40 до 4 487 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Power Field-Effect Transistor, 8.8A I(D), 60V, 0.3Ω, 1Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252, ROHS COMPLIANT, TO-252, 3Pin
AiPCBA Весь мир	SPD08P06PG Infineon	40 ₽
ChipWorker Весь мир	SPD08P06PG Infineon	40 ₽
Acme Chip Весь мир	SPD08P06PG International Rectifier	по запросу
Кремний Россия и страны СНГ	SPD08P06PG	по запросу

Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 60 В, 8.83 А, DPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD08P06P G
SIPMOS Power-Transistor
®
Product Summary V DS R DS(on),max ID -60 0.3 -8.8 V A
Features · P-Channel · Enhancement mode · Avalanche rated · dv /dt rated · 175°C operating temperature · Pb-free lead finishing; RoHS compliant

Спецификации:

Continuous Drain Current Id: -8.83 А
Drain Source Voltage Vds: -60 В
On Resistance Rds(on): 0.23 Ом
Rds(on) Test Voltage Vgs: -6.2 В
Threshold Voltage Vgs Typ: -3 В
Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
Количество выводов: 3
Корпус транзистора: TO-252
Полярность транзистора: P Channel
Рабочий диапазон температрур: -55°C ...
+175°C
Рассеиваемая мощность: 42 Вт
RoHS: да