Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet SPD15P10PL G - Infineon Даташит Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3

Infineon SPD15P10PL G

Наименование модели: SPD15P10PL G

Производитель: Infineon

Описание: Полевой транзистор, P-CH, 100 В, 15 А, TO252-3

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
SPD15P10PL G
SIPMOS® Power-Transistor
Features · P-Channel · Enhancement mode · logic level · Avalanche rated · Pb-free lead plating; RoHS compliant
Product Summary V DS R DS(on),max ID -100 0.20 -15 A V
PG-TO252-3

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: -15 А
  • Drain Source Voltage Vds: -100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.14 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: -10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: -1.5 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Полярность транзистора: P Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 128 Вт
  • RoHS: да

На английском языке: Datasheet SPD15P10PL G - Infineon MOSFET, P-CH, 100 V, 15 A, TO252-3

    SIPMOS?® Power-Transistor Features P-Channel Enhancement mode
    Цены на SPD15P10PL G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанInfineonSPD15P10PLG58,00 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonSPD15P10PLGпо запросу
    КремнийSPD15P10PL Gпо запросу
    ЭлектроПластInfineonSPD15P10PLGпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс