Datasheet BUK761R7-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK761R7-40E
Купить BUK761R7-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 114 до 185 ₽ 14 предложений от 11 поставщиков Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R | |||
BUK761R7-40E.118 Nexperia | 114 ₽ | ||
BUK761R7-40E,118 NXP | 171 ₽ | ||
BUK761R7-40E,118 NXP | по запросу | ||
BUK761R7-40E118 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK761R7-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 1300µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 324 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK761R740E, BUK761R7 40E