На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet BUK761R7-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK761R7-40E

Наименование модели: BUK761R7-40E

14 предложений от 11 поставщиков
Trans MOSFET N-CH 40V 120A 3Pin(2+Tab) D2PAK T/R
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK761R7-40E.118
Nexperia
114 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK761R7-40E,118
NXP
171 ₽
LifeElectronics
Россия
BUK761R7-40E,118
NXP
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
BUK761R7-40E118
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK761R7-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 40 В
  • On Resistance Rds(on): 1300µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 324 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK761R740E, BUK761R7 40E

На английском языке: Datasheet BUK761R7-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, 120 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России