Datasheet BUK762R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK762R9-40E
Купить BUK762R9-40E на РадиоЛоцман.Цены — от 35 до 335 ₽ 20 предложений от 13 поставщиков Силовой МОП-транзистор, N Канал, 40 В, 100 А, 0.0024 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount | |||
| BUK762R9-40E,118 NXP | 35 ₽ | ||
| BUK762R9-40E118 NXP | 68 ₽ | ||
| BUK762R9-40E,118 Nexperia | от 103 ₽ | ||
| BUK762R9-40E,118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, 100 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK762R9-40E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 100 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 2400µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 234 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK762R940E, BUK762R9 40E
