Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK7631-100E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK

NXP BUK7631-100E

Наименование модели: BUK7631-100E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 34 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK7631-100E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 34 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0243 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 96 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BUK7631-100E - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 34 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK7631-100E,11841,90 руб.
    КремнийNXPBUK7631-100E118по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс