Datasheet BUK764R2-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK764R2-80E
Купить BUK764R2-80E на РадиоЛоцман.Цены — от 187 до 9 702 ₽ 9 предложений от 9 поставщиков MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK | |||
| BUK764R2-80E,118 NXP | 187 ₽ | ||
| BUK764R2-80E,118 NXP | 199 ₽ | ||
| BUK764R2-80E,118 Nexperia | по запросу | ||
| BUK764R2-80E,118 NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 120 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
BUK764R2-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 80 В
- On Resistance Rds(on): 3100µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 324 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK764R280E, BUK764R2 80E
