Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet BUK766R0-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK766R0-60E

Наименование модели: BUK766R0-60E

26 предложений от 12 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 473А; 182Вт
BUK766R0-60E,118
NXP
28 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK766R0-60E.118
Nexperia
70 ₽
BUK766R0-60E,118
Nexperia
от 280 ₽
Akcel
Весь мир
BUK766R0-60E,118
Nexperia
от 539 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK766R0-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 4580µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK766R060E, BUK766R0 60E

На английском языке: Datasheet BUK766R0-60E - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 75 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России