Datasheet BUK766R0-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: BUK766R0-60E
Купить BUK766R0-60E на РадиоЛоцман.Цены — от 28 до 552 ₽ 26 предложений от 12 поставщиков Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 75А; Idm: 473А; 182Вт | |||
BUK766R0-60E,118 NXP | 28 ₽ | ||
BUK766R0-60E.118 Nexperia | 70 ₽ | ||
BUK766R0-60E,118 Nexperia | от 280 ₽ | ||
BUK766R0-60E,118 Nexperia | от 539 ₽ |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK
Краткое содержание документа:
BUK766R0-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 75 А
- Drain Source Voltage Vds: 60 В
- On Resistance Rds(on): 4580µ Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 182 Вт
- RoHS: Y-Ex
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)
Варианты написания:
BUK766R060E, BUK766R0 60E