Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK768R3-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK

NXP BUK768R3-60E

Наименование модели: BUK768R3-60E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 75 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK768R3-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS standard level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 5900µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 137 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BUK768R3-60E - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 75 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPBUK768R3-60E,11850,50 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс