ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet BUK9611-80E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK9611-80E

Наименование модели: BUK9611-80E

22 предложений от 11 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, N Канал, 80 В, 75 А, 0.0083 Ом, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK9611-80E.118
Nexperia
47 ₽
Триема
Россия
BUK9611-80E,118
Nexperia
108 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK9611-80E,118
NXP
132 ₽
Acme Chip
Весь мир
BUK9611-80E
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 80 В, 75 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9611-80E
5 October 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 80 В
  • On Resistance Rds(on): 8300µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK961180E, BUK9611 80E

На английском языке: Datasheet BUK9611-80E - NXP MOSFET, N-CH, 80 V, 75 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России