HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK964R8-60E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK — Даташит

NXP BUK964R8-60E

Наименование модели: BUK964R8-60E

24 предложений от 10 поставщиков
Транзистор: N-MOSFET; полевой; 60В; 100А; Idm: 596А; 234Вт
T-electron
Россия и страны СНГ
BUK964R8-60E.118
Nexperia
86 ₽
ЧипСити
Россия
BUK964R8-60E
NXP
137 ₽
Элитан
Россия
BUK964R8-60E
NXP
285 ₽
Acme Chip
Весь мир
BUK964R8-60E,118
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 60 В, 100 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK964R8-60E
13 July 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 100 А
  • Drain Source Voltage Vds: 60 В
  • On Resistance Rds(on): 3780µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 234 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK964R860E, BUK964R8 60E

На английском языке: Datasheet BUK964R8-60E - NXP MOSFET, N-CH, 60 V, 100 A, D2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России