Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK

NXP BUK9E1R6-30E

Наименование модели: BUK9E1R6-30E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 120 А, I2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
BUK9E1R6-30E
11 September 2012
N-channel TrenchMOS logic level FET
Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 1400µ Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-262
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 349 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BUK9E1R6-30E - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, 120 A, I2PAK

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс