Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK

NXP BUK9E1R9-40E

Наименование модели: BUK9E1R9-40E

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 72 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: 0°C ... +110°C
  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, I2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP157 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс