HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK — Даташит

NXP BUK9E1R9-40E

Наименование модели: BUK9E1R9-40E

8 предложений от 8 поставщиков
Compliant No SVHC TO-263 3 20 V 182 W 110 °C 13 mΩ
ЧипСити
Россия
BUK9E1R9-40E,127
NXP
161 ₽
AiPCBA
Весь мир
BUK9E1R9-40E,127
NXP
171 ₽
Acme Chip
Весь мир
BUK9E1R9-40E
NXP
по запросу
Flash-Turtle
Весь мир
BUK9E1R9-40E,127
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 40 В, I2PAK

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 72 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.013 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 20 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 20 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: 0°C ...

    +110°C

  • Рассеиваемая мощность: 182 Вт
  • RoHS: Y-Ex
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

BUK9E1R940E, BUK9E1R9 40E

На английском языке: Datasheet BUK9E1R9-40E - NXP MOSFET, N-CH, 40 V, I2PAK

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России