На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet FDMC86160 - Fairchild Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 8PQFN — Даташит

Fairchild FDMC86160

Наименование модели: FDMC86160

36 предложений от 16 поставщиков
Силовой МОП-транзистор, Shielded Gate, N Канал, 100 В, 43 А, 0.0112 Ом, PQFN, Surface Mount
Триема
Россия
FDMC86160ET
2.00 ₽
FDMC86160
Fujitsu-Siemens
51 ₽
ChipWorker
Весь мир
FDMC86160ET100
ON Semiconductor
183 ₽
Элитан
Россия
FDMC86160ET100
ON Semiconductor
218 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Fairchild

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 8PQFN

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
FDMC86160 N-Channel Power Trench® MOSFET
June 2012
FDMC86160
N-Channel Power Trench® MOSFET
100 V, 43 A, 14 m

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 43 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0112 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 2.9 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: Power 33
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ...

    +150°C

  • Рассеиваемая мощность: 54 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet FDMC86160 - Fairchild MOSFET, N-CH, 100 V, 8PQFN

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России