HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IRF7820PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8 — Даташит

International Rectifier IRF7820PBF

Наименование модели: IRF7820PBF

11 предложений от 8 поставщиков
MOSFET N CH 200V 3.7A 8-SO
IRF7820PBF
International Rectifier
25 ₽
Utmel
Весь мир
IRF7820PBF
Infineon
от 46 ₽
AiPCBA
Весь мир
IRF7820PBF
International Rectifier
96 ₽
ChipWorker
Весь мир
IRF7820PBF
Infineon
115 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 200 В, 3.7 А, SO-8

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IRF7820PbF
HEXFET® Power MOSFET
Applications l Synchronous MOSFET for Notebook Processor Power l Synchronous Rectifier MOSFET for Isolated DC-DC Converters in Networking Systems Benefits l Very Low RDS(on) at 10V VGS l Low Gate Charge l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current l 20V VGS Max.

Gate Rating
VDSS
RDS(on) max

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 3.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 200 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0625 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 4 В
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Корпус транзистора: SOIC
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 2.5 Вт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet IRF7820PBF - International Rectifier MOSFET, N-CH, 200 V, 3.7 A, SO-8

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России