KEEN SIDE успешно заменяет аналогичные продукты таких известных брендов, как Phoenix Contact, Weidmueller, Degson, Winstar, Hsuan Mao, KLS, G-NOR, Mean Well и др.

Datasheet PMDPB28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит

NXP PMDPB28UN

Наименование модели: PMDPB28UN

12 предложений от 12 поставщиков
Compliant 9 ns Tape & Reel (TR) 15 ns 37 mΩ SOT 6 Obsolete (Last Updated: 1 day ago)
ЧипСити
Россия
PMDPB28UN,115
NXP
29 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMDPB28UN115
NXP
29 ₽
ЭИК
Россия
PMDPB28UN,115
NXP
49 ₽
PMDPB28UN,115
NXP
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB28UN
20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 26 April 2012 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 510 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMDPB28UN - NXP MOSFET, DUAL N-CH, 20 V, SOT1118

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России