Datasheet PMDPB28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118 — Даташит
Наименование модели: PMDPB28UN
Купить PMDPB28UN на РадиоЛоцман.Цены — от 29 до 2 076 ₽ 12 предложений от 12 поставщиков Compliant 9 ns Tape & Reel (TR) 15 ns 37 mΩ SOT 6 Obsolete (Last Updated: 1 day ago) | |||
PMDPB28UN,115 NXP | 29 ₽ | ||
PMDPB28UN115 NXP | 29 ₽ | ||
PMDPB28UN,115 NXP | 49 ₽ | ||
PMDPB28UN,115 NXP | по запросу |
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118
Краткое содержание документа:
PMDPB28UN
20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Rev.
1 -- 26 April 2012 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 5.8 А
- Drain Source Voltage Vds: 20 В
- On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 8
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 510 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)