Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PMDPB28UN - NXP Даташит Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118

NXP PMDPB28UN

Наименование модели: PMDPB28UN

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный N-CH, 20 В, SOT1118

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMDPB28UN
20 V, dual N-channel Trench MOSFET
Rev. 1 -- 26 April 2012 Product data sheet
1. Product profile
1.1 General description

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 5.8 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.03 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 8
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 510 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMDPB28UN - NXP MOSFET, DUAL N-CH, 20 V, SOT1118

    MOSFET N-CH 20V DUAL HUSON6
    Цены на PMDPB28UN
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPMDPB28UN11524,90 руб.
    ЭлектроПластNXPPMDPB28UN,115по запросу
    КремнийNXPPMDPB28UN115по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс