Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet PMZB420UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B — Даташит

NXP PMZB420UN

Наименование модели: PMZB420UN

17 предложений от 11 поставщиков
MOSFET N-CH 30V 900MA DFN1006B-3
AiPCBA
Весь мир
PMZB420UN
NXP
7.37 ₽
ChipWorker
Весь мир
PMZB420UN
NXP
7.46 ₽
Acme Chip
Весь мир
PMZB420UN
по запросу
Кремний
Россия и страны СНГ
PMZB420UN315
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMZB420UN
83B
30 V, single N-channel Trench MOSFET
Rev.

1 -- 11 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 900 мА
  • Drain Source Voltage Vds: 30 В
  • On Resistance Rds(on): 0.42 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 360 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PMZB420UN - NXP MOSFET, N-CH, 30 V, SOT883B

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России