Datasheet PSMN2R0-30YLE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK — Даташит

Купить PSMN2R0-30YLE на РадиоЛоцман.Цены — от 61 до 215 ₽ 28 предложений от 14 поставщиков 100A, 30V, 0.0035ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, MO-235, PLASTIC, POWER-SO8, LFPAK-4
T-electron Россия и страны СНГ	PSMN2R0-30YLE.115 Nexperia	61 ₽	Купить
ЧипСити Россия	PSMN2R0-30YLE NXP	91 ₽	Купить
Acme Chip Весь мир	PSMN2R0-30YLE Nexperia	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	PSMN2R0-30YLE115 NXP	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 30 В, 100 А, LFPAK

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN2R0-30YLE
12 October 2012
N-channel 30 V 2 m logic level MOSFET in LFPAK
Product data sheet
1.

Product profile

Спецификации:

• Continuous Drain Current Id: 100 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 1700µ Ом
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1.7 В
• Количество выводов: 5
• Корпус транзистора: SOT-669
• Полярность транзистора: N Channel
• Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
• Рассеиваемая мощность: 272 Вт
• RoHS: Y-Ex
• SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

Варианты написания:

PSMN2R030YLE, PSMN2R0 30YLE