Datasheet PSMN4R8-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK — Даташит
Наименование модели: PSMN4R8-100BSE
Купить PSMN4R8-100BSE на РадиоЛоцман.Цены — от 276 до 12 356 ₽ 14 предложений от 8 поставщиков MOSFET Transistor, N Channel, 120A, 100V, 0.0041Ω, 10V, 3V | |||
| PSMN4R8-100BSE NXP | от 276 ₽ | ||
| PSMN4R8-100BSE NXP | от 284 ₽ | ||
| PSMN4R8-100BSE NXP | 308 ₽ | ||
| PSMN4R8-100BSE NXP | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
PSMN4R8-100BSE
4 October 2012
N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK
Objective data sheet
1.
Product profile
Спецификации:
- Continuous Drain Current Id: 120 А
- Drain Source Voltage Vds: 100 В
- On Resistance Rds(on): 0.0041 Ом
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: TO-263
- Полярность транзистора: N Channel
- Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
- Рассеиваемая мощность: 405 Вт
- RoHS: Y-Ex
Варианты написания:
PSMN4R8100BSE, PSMN4R8 100BSE
