Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN4R8-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

NXP PSMN4R8-100BSE

Наименование модели: PSMN4R8-100BSE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 120 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN4R8-100BSE
4 October 2012
N-channel 100 V 4.8 m standard level MOSFET in D2PAK
Objective data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 120 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0041 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 405 Вт
  • RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet PSMN4R8-100BSE - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 120 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP165 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс