Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PSMN7R6-100BSE - NXP Даташит Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK

NXP PSMN7R6-100BSE

Наименование модели: PSMN7R6-100BSE

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N-CH, 100 В, 75 А, D2PAK

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PSMN7R6-100BSE
18 December 2012
N-channel 100 V 7.6 m standard level MOSFET in D2PAK
Product data sheet
1. General description

Спецификации:

  • Continuous Drain Current Id: 75 А
  • Drain Source Voltage Vds: 100 В
  • On Resistance Rds(on): 0.0065 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: TO-263
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +175°C
  • Рассеиваемая мощность: 296 Вт
  • RoHS: Y-Ex

На английском языке: Datasheet PSMN7R6-100BSE - NXP MOSFET, N-CH, 100 V, 75 A, D2PAK

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP151 руб.
    ДКО ЭлектронщикNXPпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс