Datasheet PDTA115EMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит
Наименование модели: PDTA115EMB
Подробное описание
Производитель: NXP
Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B
Краткое содержание документа:
PDTA115EMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Rev.
1 -- 1 June 2012 Product data sheet
1. Product profile
Спецификации:
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
- DC Collector Current: -20 мА
- DC Current Gain: 80
- Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
- Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
- Количество выводов: 3
- Корпус транзистора: SOT-883B
- Полярность транзистора: PNP
- Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
- Рассеиваемая мощность: 250 мВт
- RoHS: да
- SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)