Altinkaya: турецкие корпуса для РЭА

Datasheet PDTA123JMB - NXP Даташит TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

NXP PDTA123JMB

Наименование модели: PDTA123JMB

10 предложений от 7 поставщиков
Транзистор: NOW NEXPERIA PDTA123JMB - SMALL
Utmel
Весь мир
PDTA123JMB,315
Nexperia
от 3.25 ₽
AiPCBA
Весь мир
PDTA123JMB,315
NXP
5.30 ₽
ChipWorker
Весь мир
PDTA123JMB,315
NXP
5.30 ₽
МосЧип
Россия
PDTA123JMB,315
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, PNP W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTA123JMB
83B
PNP resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 47 k
Rev.

1 -- 16 May 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: -50 В
  • DC Collector Current: -100 мА
  • DC Current Gain: 100
  • Transition Frequency Typ ft: 180 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: PNP
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTA123JMB - NXP TRANS, PNP W/RES, 50 V, SOT883B

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России