Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PDTC115EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

NXP PDTC115EMB

Наименование модели: PDTC115EMB

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC115EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 100 k, R2 = 100 k
Rev. 1 -- 1 June 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • DC Collector Current: 20 мА
  • DC Current Gain: 80
  • Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTC115EMB - NXP TRANS, NPN W/RES, 50 V, SOT883B

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP7,20 руб.
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс