Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet PDTC123EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

NXP PDTC123EMB

Наименование модели: PDTC123EMB

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC123EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev. 1 -- 3 April 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 30
  • Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTC123EMB - NXP TRANS, NPN W/RES, 50 V, SOT883B

    TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанNXPPDTC123EMB5,03 руб.
    Океан ЭлектроникиNXPPDTC123EMB,315по запросу
    Подробнее об условиях поставки »
Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс