На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet PDTC123EMB - NXP Даташит TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B — Даташит

NXP PDTC123EMB

Наименование модели: PDTC123EMB

22 предложений от 11 поставщиков
Биполярный цифровой/смещение транзистор, Одиночный NPN, 50 В, 100 мА, 2.2 кОм, 2.2 кОм
Akcel
Весь мир
PDTC123EMB,315
Nexperia
от 3.17 ₽
Utmel
Весь мир
PDTC123EMB,315
Nexperia
от 3.19 ₽
AiPCBA
Весь мир
PDTC123EMB315
NXP
8.05 ₽
Acme Chip
Весь мир
PDTC123EMB,315
Nexperia
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: TRANS, NPN W/RES, 50 В, SOT883B

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PDTC123EMB
83B
NPN resistor-equipped transistor; R1 = 2.2 k, R2 = 2.2 k
Rev.

1 -- 3 April 2012 Product data sheet
1. Product profile

Спецификации:

  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 50 В
  • DC Collector Current: 100 мА
  • DC Current Gain: 30
  • Transition Frequency Typ ft: 230 МГц
  • Влагостойкость: MSL 1 - Unlimited
  • Количество выводов: 3
  • Корпус транзистора: SOT-883B
  • Полярность транзистора: NPN
  • Рабочий диапазон температрур: -65°C ... +150°C
  • Рассеиваемая мощность: 250 мВт
  • RoHS: да
  • SVHC: No SVHC (18-Jun-2012)

На английском языке: Datasheet PDTC123EMB - NXP TRANS, NPN W/RES, 50 V, SOT883B

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России