Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet International Rectifier IRFS7730TRL7PP

Производитель:International Rectifier
Серия:IRFS7730-7PPbF
Модель:IRFS7730TRL7PP

    Тип корпуса: TO-263-7 Производитель: Infineon Technologies AG MOSFET транзистор
    ПоставщикПроизводительЦена
    ICdaromInfineonот 128 руб.
    ТерраэлектроникаInfineonот 134 руб.
    ДКО ЭлектронщикInfineonот 134 руб.
    ИнтерияInfineon154 руб.
    ЭлитанInternational Rectifier176 руб.
    Все 13 предложений от 7 поставщиков »

Семейство StrongIRFET 75-вольтовых мощных MOSFET с ультра низким сопротивлением открытого канала

Транзистор
ID
при 25 °C
(А)
RDS(ON) макс.
при VGS= 10 В
(мОм)
QG
при VGS= 10 В
(нКл)
Корпус
IRFS7730-7P
240
2
285
D2-Pak 7 выводов
IRFS7730
195
2.6
271
D2-Pak
IRFS7734
183
3.5
180
D2-Pak
IRFS7734-7P
197
3.05
180
D2-Pak 7 выводов
IRFH7787
68
8
75
PQFN 5 × 6 мм
IRFS7787
76
8.4
73
D2-Pak
IRFS7762
85
6.7
85
D2-Pak
IRFR7740
56
7.2
84
D-Pak
IRFR7746
56
11.2
59
D-Pak

Документы:

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRFS7730TRL7PP

Выписка из документа:
StrongIRFETTM IRFS7730-7PPbF
Application Brushed motor drive applications BLDC motor drive applications Battery powered circuits Half-bridge and full-bridge topologies Synchronous rectifier applications Resonant mode power supplies OR-ing and redundant power switches DC/DC and AC/DC converters DC/AC inverters Benefits Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness Fully characterized capacitance and avalanche SOA Enhanced body diode dV/dt and dI/dt capability Lead-free, RoHS compliant HEXFET® Power MOSFET D VDSS RDS(on) typ. max ID (Silicon Limited) 75V 1.70m 2.00m 269A 240A G S ID (Package Limited) G Gate D Drain S Source Base Part Number IRFS7730-7PPbF Package Type D2Pak-7PIN Standard Pack Form Quantity Tube 50 Tape and Reel Left 800 Complete Part Number IRFS7730-7PPbF IRFS7730TRL7PP ) RDS(on), Drain-to -Source On Resistance (m 8 ID = 100A 6
ID, Drain Current (A) 300 Limited By Package 250 TJ = 125°C 4 200 150 100 50 0 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) 2 TJ = 25°C 0 4 6 8 10 12 14 16 18 20 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Maximum Drain Current vs. Case Temperature 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback January 10, 2014 Absolute Maximum Rating Symbol ID @ TC = 25°C ID @ TC = 100°C ID @ TC = 25°C IDM PD @TC = 25°C VGS TJ TSTG Parameter Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) Cont...

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс