Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

NXP PMEG6010ELRX

Производитель:NXP
Серия:PMEG6010ELR
Модель:PMEG6010ELRX

60 В, 1 А диод Шоттки с низким током утечки

Документы:

На английском языке: Datasheet NXP PMEG6010ELRX

    ПоставщикПроизводительЦена
    ЭлитанNXP9,56 руб.
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:

Diodes > Medium power Schottky diodes ≥ 200 mA

Выписка из документа:
PMEG6010ELR
3 June 2014 SO D 123 W 60 V, 1 A low leakage current Schottky barrier rectifier Product data sheet 1. General description
Planar Maximum Efficiency General Application (MEGA) Schottky barrier rectifier with an integrated guard ring for stress protection, encapsulated in a SOD123W small and flat lead Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. 2. Features and benefits Average forward current: IF(AV) 1 A Reverse voltage: VR 60 V Extremely low leakage current Low forward voltage High power capability due to clip-bonding technology Small and flat lead SMD plastic package AEC-Q101 qualified High temperature Tj 175 °C 3. Applications Low voltage rectification High efficiency DC-to-DC conversion Switch mode power supply Reverse polarity protection Low power consumption applications 4. Quick reference data
Table 1. Symbol IF(AV) VF IR Quick reference data Parameter average forward current forward voltage reverse current Conditions = 0.5; f = 20 kHz; Tsp 170 °C; square wave IF = 1 A; Tj = 25 °C VR = 60 V; tp 300 µs; 0.02; Tj = 25 °C; pulsed 605 90 660 300 mV nA Min Typ Max 1 Unit A Scan or click this QR code to view the latest information for this product NXP Semiconductors PMEG6010ELR
60 V, 1 A low leakage current Schottk...

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс