Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  
Срез:Электронные компоненты

Datasheet International Rectifier IRF530NL

Производитель:International Rectifier
Серия:IRF530NS, IRF530NL
Модель:IRF530NL

PB-IRF530NL. Leaded 100 V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-262 package. Obsolete

Документы:

На английском языке: Datasheet International Rectifier IRF530NL

    MOSFET N-CH 100V 17A TO-262
    ПоставщикПроизводительЦена
    Кремнийпо запросу
    ЭлектроПласт - ЕкатеринбургInternational Rectifierпо запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:

Obsolete Leaded (Pb) N-Channel MOSFETs

Выписка из документа:
PD - 91352B HEXFET Power MOSFET
l l l l l l IRF530NS IRF530NL ®
VDSS = 100V RDS(on) = 90m Advanced Process Technology Ultra Low On-Resistance Dynamic dv/dt Rating 175°C Operating Temperature Fast Switching Fully Avalanche Rated D G S ID = 17A Description
Advanced HEXFET® Power MOSFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low onresistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications.
The D2Pak is a surface mount power package capable of accommodating die sizes up to HEX-4. It provides the highest power capability and the lowest possible on-resistance in any existing surface mount package. The D2Pak is suitable for high current applications because of its low internal connection resistance and can dissipate up t...

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс