Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

NXP IRF530N,127

Производитель:NXP
Серия:IRF530N
Модель:IRF530N,127

N-channel TrenchMOSTM transistor

Документы:

На английском языке: Datasheet NXP IRF530N

    МОП-транзистор N-Chan 100V 9.2 Amp
    Цены на IRF530N,127
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    КремнийIRF530N,127по запросу
    ТаймЧипсNXPIRF530N,127по запросу
    LifeElectronicsIRF530N127по запросу
    Подробнее об условиях поставки »

Классификация производителя:

MOSFETs

Варианты написания: IRF530N127, IRF530N 127

Выписка из документа:
Philips Semiconductors Product specification N-channel TrenchMOSTM transistor IRF530N FEATURES 'Trench' technology Low on-state resistance Fast switching Low thermal resistance SYMBOL
d QUICK REFERENCE DATA VDSS = 100 V ID = 17 A
g RDS(ON) 110 m
s GENERAL DESCRIPTION
N-channel enhancement mode field-effect power transistor in a plastic envelope using 'trench' technology. Applications: d.c. to d.c. converters switched mode power supplies The IRF530N is supplied in the SOT78 (TO220AB) conventional leaded package. PINNING
PIN 1 2 3 tab gate drain source drain DESCRIPTION SOT78 (TO220AB)
tab drain 1 2 3 gate source drain LIMITING VALUES
Limiting values...

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Срезы ↓
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс