ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet Texas Instruments LM5111-4M/NOPB — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияLM5111
МодельLM5111-4M/NOPB
Datasheet Texas Instruments LM5111-4M/NOPB

Двойной 5А составной драйвер затвора 8-SOIC

Datasheets

LM5111 Dual 5-A Compound Gate Driver datasheet
PDF, 954 Кб, Версия: H, Файл опубликован: 28 сен 2016
Выписка из документа

Цены

21 предложений от 13 поставщиков
IC: driver; low-side,контроллер затвора MOSFET; SO8; -5÷3А; Ch: 2
LM5111-4M/NOPB
Texas Instruments
48 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
LM5111-4M/NOPB
Texas Instruments
80 ₽
ChipWorker
Весь мир
LM5111-4M/NOPB
Texas Instruments
106 ₽
ЭИК
Россия
LM5111-4M/NOPB
Texas Instruments
от 280 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяДа

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin88
Package TypeDD
Industry STD TermSOICSOIC
JEDEC CodeR-PDSO-GR-PDSO-G
Package QTY9595
CarrierTUBETUBE
Маркировка5111-4M
Width (мм)3.913.91
Length (мм)4.94.9
Thickness (мм)1.581.58
Pitch (мм)1.271.27
Max Height (мм)1.751.75
Mechanical DataСкачатьСкачать

Параметры

Channel Input LogicInverting,Non-Inverting,Combination
Fall Time12 нс
Input ThresholdTTL
Input VCC(Max)14 В
Input VCC(Min)3.5 В
Количество каналов2
Рабочий диапазон температурот -40 до 125 C
Package GroupSOIC
Peak Output Current5 A
Power SwitchMOSFET
Prop Delay25 нс
RatingCatalog
Rise Time14 нс
Special FeaturesUVLO Configured to Drive PFET through OUT_A

Экологический статус

RoHSСовместим

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Semiconductors > Power Management > MOSFET and IGBT Gate Drivers > Low-side Driver

Варианты написания:

LM51114M/NOPB, LM5111 4M/NOPB

На английском языке: Datasheet Texas Instruments LM5111-4M/NOPB

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России