Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet Texas Instruments UC2707N — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияUC2707
МодельUC2707N
Datasheet Texas Instruments UC2707N

Дополнительные высокоскоростные драйверы питания 16-PDIP от -40 до 85

Datasheets

Dual Channel Power Driver datasheet
PDF, 973 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 16 сен 2008
Выписка из документа

Цены

14 предложений от 13 поставщиков
Интегральные схемы (ИС) усилителей мощности Comp High Speed Power Driver
EIS Components
Весь мир
UC2707N
Texas Instruments
342 ₽
ЧипСити
Россия
UC2707N
Texas Instruments
402 ₽
T-electron
Россия и страны СНГ
UC2707N
Texas Instruments
532 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
UC2707N
Texas Instruments
978 ₽
Критерии выбора литиевых аккумуляторов и батареек: что необходимо учитывать разработчикам

Статус

Статус продуктаВ производстве (Рекомендуется для новых разработок)
Доступность образцов у производителяДа

Корпус / Упаковка / Маркировка

Pin16
Package TypeN
Industry STD TermPDIP
JEDEC CodeR-PDIP-T
Package QTY25
CarrierTUBE
МаркировкаUC2707N
Width (мм)6.35
Length (мм)19.3
Thickness (мм)3.9
Pitch (мм)2.54
Max Height (мм)5.08
Mechanical DataСкачать

Экологический статус

RoHSСовместим

Application Notes

  • U-118 New Driver ICs Optimize High-Speed Power MOSFET Switching Characteristics
    PDF, 573 Кб, Файл опубликован: 5 сен 1999
    The UC3705 family of power drivers is made with a high speed Schottky process to interface between low-level control functions and high-power switching devices particularly power MOSFETs. These devices are also an optimum choice for capacitive line drivers where up to 1.5 amps may be switched in either direction. With both inverting and non-inverting inputs available logic signals of either pola
  • U-137 Practical Considerations in High Performance MOSFET IGBT and MCT Gate
    PDF, 244 Кб, Файл опубликован: 5 сен 1999
    The switch-mode power supply industry's trend towards higher conversion frequencies is justified by the dramatic improvement in obtaining higher power densities. And as these frequencies are pushed towards and beyond one MHz the MOSFET transition periods can become a significant portion of the total switching period. Losses associated with the overlap of switch voltage and current not only degrad

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Semiconductors > Power Management > MOSFET and IGBT Gate Drivers > Low-side Driver

На английском языке: Datasheet Texas Instruments UC2707N

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России