Радиолоцман Электроника en
расширенный поиск +
  

Datasheet ON Semiconductor 1N5818G

Datasheet ON Semiconductor 1N5818G

ПроизводительON Semiconductor
Серия1N5818
Модель1N5818G

Schottky Barrier Rectifier, 1.0 A, 30 V

Datasheets

  • Скачать » Datasheet, PDF, 77 Кб
    Выписка из документа ↓
    1N5817, 1N5818, 1N5819
    1N5817 and 1N5819 are Preferred Devices Axial Lead Rectifiers
    This series employs the Schottky Barrier principle in a large area
    metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features
    chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation
    and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in
    low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and
    polarity protection diodes.
    Features http://onsemi.com SCHOTTKY BARRIER
    RECTIFIERS
    1.0 AMPERE
    20, 30 and 40 VOLTS Extremely Low VF
    Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
    Low Power Loss/High Efficiency
    These are Pb-Free Devices* Mechanical Characteristics: Case: Epoxy, Molded Weight: 0.4 Gram (Approximately) Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
    Leads are Readily Solderable Lead Temperature for Soldering Purposes: 260В°C Max for 10 Seconds
    Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
    ESD Ratings: Machine Model = C (>400 V)
    Human Body Model = 3B (>8000 V) AXIAL LEAD
    CASE 59
    STYLE 1 MARKING DIAGRAM A
    1N581x
    YYWWG ...

Цены

    1N5818G на РадиоЛоцман.Цены — от 0,68 до 6,32 руб.
    Диоды и выпрямители Шоттки VRRM=30V, IAV=1.0A
    Цена 1N5818G
    ПоставщикПроизводительНаименованиеЦена
    ЭлитанON Semiconductor1N5818G0,68 руб.
    ПМ Электроникс1N5818-Gот 4,09 руб.
    ТаймЧипс1N5818-Gпо запросу
    Интерия1N5818Gпо запросу
    TradeElectronicsON Semiconductor1N5818Gпо запросу
    Все 10 предложений от 9 поставщиков »

Выписка из документа:
1N5817, 1N5818, 1N5819
1N5817 and 1N5819 are Preferred Devices Axial Lead Rectifiers
This series employs the Schottky Barrier principle in a large area
metal-to-silicon power diode. State-of-the-art geometry features
chrome barrier metal, epitaxial construction with oxide passivation
and metal overlap contact. Ideally suited for use as rectifiers in
low-voltage, high-frequency inverters, free wheeling diodes, and
polarity protection diodes.
Features http://onsemi.com SCHOTTKY BARRIER
RECTIFIERS
1.0 AMPERE
20, 30 and 40 VOLTS Extremely Low VF
Low Stored Charge, Majority Carrier Conduction
Low Power Loss/High Efficiency
These are Pb-Free Devices* Mechanical Characteristics: Case: Epoxy, Molded Weight: 0.4 Gram (Approximately) Finish: All External Surfaces Corrosion Resistant and Terminal
Leads are Readily Solderable Lead Temperature for Soldering Purposes: 260В°C Max for 10 Seconds
Polarity: Cathode Indicated by Polarity Band
ESD Ratings: Machine Model = C (>400 V)
Human Body Model = ...

Модельный ряд

Серия: 1N5818 (4)

Классификация производителя

  • Diodes & Rectifiers > Schottky Diodes & Schottky Rectifiers

На английском языке: Datasheet ON Semiconductor 1N5818G

Рекомендуемые материалы по теме:

При перепечатке материалов с сайта прямая ссылка на РадиоЛоцман обязательна.

Приглашаем авторов статей и переводов к публикации материалов на страницах сайта.

Срезы ↓
Датчики влажности и температуры ДВТ-03
Цена: от 3 168 руб.
Доставка: Россия и страны СНГ
DIY настольный 3D принтер
Цена: 163 $ (9500 руб.)
Промо-акция, последняя скидка
Очки с подсветкой и сменными окулярами
Цена: от 8 $ (477 руб.)
Бесплатная доставка: Весь мир
радиолоцман вконтакте радиолоцман одноклассники радиолоцман facebook радиолоцман twitter радиолоцман google плюс

Рейтинг@Mail.ru