ЭФО предлагает со своего склада новую серию преобразователей интерфейсов USB UART компании FTDI FT232RNL-REEL

Datasheet Texas Instruments LF347-N — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияLF347-N
Datasheet Texas Instruments LF347-N

Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers

Datasheets

LF147/LF347 Wide Bandwidth Quad JFET Input Operational Amplifiers datasheet
PDF, 1.7 Мб, Версия: D, Файл опубликован: 25 мар 2013
Выписка из документа

Цены

69 предложений от 34 поставщиков
Операционный усилитель, 4 Усилителя, 4 МГц, 13 В/мкс, 7В до 36В, DIP, 14 вывод(-ов)
LF347N
Texas Instruments
13 ₽
AliExpress
Весь мир
LF347N DIP-14 LF347 DIP14 347N DIP новый и оригинальный IC
13 ₽
ЧипСити
Россия
LF347N
ON Semiconductor
37 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
LF347N/PB
Texas Instruments
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

LF347BN/NOPBLF347MLF347M/NOPBLF347MXLF347MX/NOPBLF347N/NOPB
Статус продуктаВ производствеНе рекомендуется для новых разработокВ производствеНе рекомендуется для новых разработокВ производствеВ производстве
Доступность образцов у производителяНетДаДаДаНетНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

LF347BN/NOPBLF347MLF347M/NOPBLF347MXLF347MX/NOPBLF347N/NOPB
N123456
Pin141414141414
Package TypeNFFDDDDNFF
Industry STD TermPDIPSOICSOICSOICSOICPDIP
JEDEC CodeR-PDIP-TR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GR-PDIP-T
Package QTY2555552500250025
CarrierTUBETUBETUBELARGE T&RLARGE T&RTUBE
МаркировкаLF347BNLF347MLF347MLF347MLF347MLF347N
Width (мм)6.353.913.913.913.916.35
Length (мм)19.1778.658.658.658.6519.177
Thickness (мм)3.4291.581.581.581.583.429
Pitch (мм)2.541.271.271.271.272.54
Max Height (мм)5.331.751.751.751.755.33
Mechanical DataСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачать

Параметры

Parameters / ModelsLF347BN/NOPB
LF347BN/NOPB
LF347M
LF347M
LF347M/NOPB
LF347M/NOPB
LF347MX
LF347MX
LF347MX/NOPB
LF347MX/NOPB
LF347N/NOPB
LF347N/NOPB
Additional FeaturesN/AN/AN/AN/AN/AN/A
АрхитектураFETFETFETFETFETFET
CMRR(Min), дБ707070707070
CMRR(Typ), дБ100100100100100100
GBW(Typ), МГц444444
Input Bias Current(Max), pA200200200200200200
Iq per channel(Max), мА2.752.752.752.752.752.75
Iq per channel(Typ), мА1.81.81.81.81.81.8
Количество каналов444444
Offset Drift(Typ), uV/C101010101010
Рабочий диапазон температур, Cот 0 до 70от 0 до 70от 0 до 70от 0 до 70от 0 до 70от 0 до 70
Output Current(Typ), мА313131313131
Package GroupPDIPSOICSOICSOICSOICPDIP
Package Size: mm2:W x L, PKGSee datasheet (PDIP)14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)14SOIC: 52 mm2: 6 x 8.65(SOIC)See datasheet (PDIP)
Rail-to-RailIn to V+In to V+In to V+In to V+In to V+In to V+
RatingCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalog
Slew Rate(Typ), V/us131313131313
Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10363636363636
Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10888888
Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц202020202020
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ555555

Экологический статус

LF347BN/NOPBLF347MLF347M/NOPBLF347MXLF347MX/NOPBLF347N/NOPB
RoHSСовместимSee ti.comСовместимSee ti.comСовместимСовместим

Application Notes

  • AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches
    PDF, 80 Кб, Файл опубликован: 2 май 2004
    Application Note 447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches
  • AN-301 Signal Conditioning for Sophisticated Transducers (Rev. B)
    PDF, 1.2 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
    This application note discusses signal conditioning and applications information for a diverse group ofsophisticated and unusual transducers.
  • AN-256 Circuitry for Inexpensive Relative Humidity Measurement (Rev. B)
    PDF, 262 Кб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
    Of all common environmental parameters humidity is perhaps the least understood and most difficult tomeasure. The most common electronic humidity detection methods albeit highly accurate are not obviousand tend to be expensive and complex (See Box). Accurate humidity measurement is vital to a number ofdiverse areas including food processing paper and lumber production pollution monitor
  • AN-263 Sine Wave Generation Techniques (Rev. C)
    PDF, 747 Кб, Версия: C, Файл опубликован: 22 апр 2013
    This application note describes the sine wave generation techniques to control frequency amplitude anddistortion levels.
  • AN-262 Applying Dual and Quad FET Op Amps (Rev. B)
    PDF, 1.1 Мб, Версия: B, Файл опубликован: 6 май 2013
    The availability of dual and quad packaged FET op amps offers the designer all the traditional capabilitiesof FET op amps including low bias current and speed and some additional advantages. The cost-peramplifieris lower because of reduced package costs. This means that more amplifiers are available toimplement a function at a given cost making design easier. At the same time the availab
  • Get More Power Out of Dual or Quad Op-Amps
    PDF, 91 Кб, Файл опубликован: 2 окт 2002

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> General-Purpose Op Amps

На английском языке: Datasheet Texas Instruments LF347-N

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России