Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet Texas Instruments THS3110 — Даташит

ПроизводительTexas Instruments
СерияTHS3110
Datasheet Texas Instruments THS3110

Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier with Power-down

Datasheets

Low-Noise, High-Voltage, Current-Feedback Op Amplifiers datasheet
PDF, 1.3 Мб, Версия: E, Файл опубликован: 12 окт 2009
Выписка из документа

Цены

21 предложений от 18 поставщиков
Single, Low Noise, High Voltage Current-Feedback Amplifier with Power-down 8-SOIC -40℃ to 85℃
Akcel
Весь мир
THS3110IDGN
Texas Instruments
от 73 ₽
EIS Components
Весь мир
THS3110CDGNG4
Texas Instruments
75 ₽
Элитан
Россия
THS3110ID
Texas Instruments
1 553 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
THS3110IDRG4
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Статус

THS3110DGNTHS3110DGNRTHS3110IDTHS3110IDG4THS3110IDGNTHS3110IDGNRTHS3110IDRTHS3110IDRG4
Статус продуктаАнонсированАнонсированВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производствеВ производстве
Доступность образцов у производителяНетНетНетНетНетНетНетНет

Корпус / Упаковка / Маркировка

THS3110DGNTHS3110DGNRTHS3110IDTHS3110IDG4THS3110IDGNTHS3110IDGNRTHS3110IDRTHS3110IDRG4
N12345678
Pin88888888
Package TypeDGNDGNDDDGNDGNDD
Industry STD TermHVSSOPHVSSOPSOICSOICHVSSOPHVSSOPSOICSOIC
JEDEC CodeS-PDSO-GS-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-GS-PDSO-GS-PDSO-GR-PDSO-GR-PDSO-G
Width (мм)333.913.91333.913.91
Length (мм)334.94.9334.94.9
Thickness (мм)1.021.021.581.581.021.021.581.58
Pitch (мм).65.651.271.27.65.651.271.27
Max Height (мм)1.11.11.751.751.11.11.751.75
Mechanical DataСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачатьСкачать
Package QTY757580250025002500
CarrierTUBETUBETUBELARGE T&RLARGE T&RLARGE T&R
Маркировка3110I3110IBIRBIR3110I3110I

Параметры

Parameters / ModelsTHS3110DGN
THS3110DGN
THS3110DGNR
THS3110DGNR
THS3110ID
THS3110ID
THS3110IDG4
THS3110IDG4
THS3110IDGN
THS3110IDGN
THS3110IDGNR
THS3110IDGNR
THS3110IDR
THS3110IDR
THS3110IDRG4
THS3110IDRG4
2nd Harmonic, dBc525252525252
2nd Harmonic(dBc)5252
3rd Harmonic, dBc484848484848
3rd Harmonic(dBc)4848
@ MHz1010101010101010
Acl, min spec gain, V/V111111
Acl, min spec gain(V/V)11
Additional FeaturesShutdownShutdownShutdownShutdownShutdownShutdownShutdownShutdown
Approx. Price (US$)2.80 | 100u2.80 | 100u
АрхитектураBipolar
Current FB
Bipolar
Current FB
Bipolar,Current FBBipolar,Current FBBipolar,Current FBBipolar,Current FBBipolar,Current FBBipolar,Current FB
BW @ Acl, МГц100100100100100100
BW @ Acl(MHz)100100
CMRR(Min), дБ626262626262
CMRR(Min)(dB)6262
CMRR(Typ), дБ686868686868
CMRR(Typ)(dB)6868
GBW(Typ), МГц100100100100100100
GBW(Typ)(MHz)100100
Input Bias Current(Max), pA400000040000004000000400000040000004000000
Input Bias Current(Max)(pA)40000004000000
Iq per channel(Max), мА6.56.56.56.56.56.5
Iq per channel(Max)(mA)6.56.5
Iq per channel(Typ), мА4.84.84.84.84.84.8
Iq per channel(Typ)(mA)4.84.8
Количество каналов111111
Number of Channels(#)11
Offset Drift(Typ), uV/C101010101010
Offset Drift(Typ)(uV/C)1010
Рабочий диапазон температур, Cот -40 до 85от -40 до 85от -40 до 85от -40 до 85от -40 до 85от -40 до 85
Operating Temperature Range(C)-40 to 85-40 to 85
Output Current(Typ), мА260260260260260260
Output Current(Typ)(mA)260260
Package GroupMSOP-PowerPADMSOP-PowerPADSOICSOICMSOP-PowerPADMSOP-PowerPADSOICSOIC
Package Size: mm2:W x L, PKG8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD)8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)8SOIC: 29 mm2: 6 x 4.9(SOIC)
Package Size: mm2:W x L (PKG)8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD)8MSOP-PowerPAD: 15 mm2: 4.9 x 3(MSOP-PowerPAD)
Rail-to-RailNoNoNoNoNoNoNoNo
RatingCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalogCatalog
Slew Rate(Typ), V/us900900900900900900
Slew Rate(Typ)(V/us)900900
Total Supply Voltage(Max), +5V=5, +/-5V=10303030303030
Total Supply Voltage(Max)(+5V=5, +/-5V=10)3030
Total Supply Voltage(Min), +5V=5, +/-5V=10101010101010
Total Supply Voltage(Min)(+5V=5, +/-5V=10)1010
Vn at 1kHz(Typ), нВ/rtГц333333
Vn at Flatband(Typ), нВ/rtГц333333
Vn at Flatband(Typ)(nV/rtHz)33
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max), мВ101010101010
Vos (Offset Voltage @ 25C)(Max)(mV)1010

Экологический статус

THS3110DGNTHS3110DGNRTHS3110IDTHS3110IDG4THS3110IDGNTHS3110IDGNRTHS3110IDRTHS3110IDRG4
RoHSНе совместимНе совместимСовместимСовместимСовместимСовместимСовместимСовместим
Бессвинцовая технология (Pb Free)НетНет

Application Notes

  • Noise Analysis for High Speed Op Amps (Rev. A)
    PDF, 256 Кб, Версия: A, Файл опубликован: 17 янв 2005
    As system bandwidths have increased an accurate estimate of the noise contribution for each element in the signal channel has become increasingly important. Many designers are not however particularly comfortable with the calculations required to predict the total noise for an op amp or in the conversions between the different descriptions of noise. Considerable inconsistency between manufactu

Модельный ряд

Классификация производителя

  • Semiconductors> Amplifiers> Operational Amplifiers (Op Amps)> High-Speed Op Amps (>=50MHz)

На английском языке: Datasheet Texas Instruments THS3110

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России