Datasheet IRF7471PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8 — Даташит
Наименование модели: IRF7471PBF
Купить IRF7471PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 56 до 1 944 ₽ 11 предложений от 5 поставщиков MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC | |||
IRF7471PBF Infineon | от 56 ₽ | ||
IRF7471PBF Infineon | от 59 ₽ | ||
IRF7471PBF,Nкан 40В 10А SO8 International Rectifier | 1 944 ₽ | ||
IRF7471PBF | по запросу |
Подробное описание
Производитель: International Rectifier
Описание: Полевой транзистор, N, LOGIC, SO-8
Краткое содержание документа:
PD- 95726
SMPS MOSFET
Applications l High Frequency Isolated DC-DC Converters with Synchronous Rectification for Telecom and Industrial Use l High Frequency Buck Converters for Computer Processor Power l Lead-Free Benefits l Ultra-Low Gate Impedance l Very Low RDS(on) l Fully Characterized Avalanche Voltage and Current
IRF7471PbF
HEXFET® Power MOSFET
Спецификации:
- Полярность транзистора: N Channel
- Continuous Drain Current Id: 10 А
- Drain Source Voltage Vds: 40 В
- On Resistance Rds(on): 13 МОм
- Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
- Voltage Vgs Max: 3 В
- Корпус транзистора: SOIC
- Количество выводов: 8
- SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
- Current Id Max: 10 А
- Current Temperature: 25°C
- External Depth: 5.2 мм
- Внешняя длина / высота: 1.75 мм
- Внешняя ширина: 4.05 мм
- Full Power Rating Temperature: 25°C
- Количество транзисторов: 1
- Тип корпуса: SOIC
- Pin Format: 1 с
- Power Dissipation Pd: 2.5 Вт
- Pulse Current Idm: 83 А
- Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
- SMD Marking: IRF7471PBF
- Способ монтажа: SMD
- Threshold Voltage Vgs Typ: 3 В
- Voltage Vds Typ: 40 В
- Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Dow Corning - 2265931
- Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
- Fischer Elektronik - WLK 5
- Roth Elektronik - RE932-01