Datasheet IRF7313PBF - International Rectifier Даташит Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8 — Даташит

Купить IRF7313PBF на РадиоЛоцман.Цены — от 11 до 94 ₽ 15 предложений от 12 поставщиков N-канальный полевой транзистор (Vds=30V, Id=6.5A@T=25C, Id=5,2A@T=70C, Rds=0.029 Ohm, P=2W, -55 to +150C).
Стандарт СИЗ Россия	IRF7313PBF Infineon	11 ₽	Купить
Utmel Весь мир	IRF7313PBF Infineon	от 19 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	IRF7313PBF Infineon	81 ₽	Купить
ЧипСити Россия	IRF7313PBF Infineon	94 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: International Rectifier

Описание: Полевой транзистор, сдвоенный, NN, SO-8

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PD - 95039
IRF7313PbF
l l l l l l
Generation V Technology Ultra Low On-Resistance Dual N-Channel MOSFET Surface Mount Fully Avalanche Rated Lead-Free
HEXFET® Power MOSFET

Данные для моделирования

Спецификации:

• Module Configuration: Dual
• Полярность транзистора: N Channel
• Continuous Drain Current Id: 6.5 А
• Drain Source Voltage Vds: 30 В
• On Resistance Rds(on): 29 МОм
• Rds(on) Test Voltage Vgs: 10 В
• Threshold Voltage Vgs Typ: 1 В
• Power Dissipation Pd: 2 Вт
• Корпус транзистора: SOIC
• Количество выводов: 8
• SVHC: No SVHC (15-Dec-2010)
• Current Id Max: 6.5 А
• External Depth: 5.2 мм
• Внешняя длина / высота: 1.75 мм
• Внешняя ширина: 4.05 мм
• Температура перехода максимальная: 150°C
• Температура перехода минимальная: -55°C
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SOIC
• Способ монтажа: SMD
• Current Temperature: 25°C
• Full Power Rating Temperature: 25°C
• Pulse Current Idm: 30 А
• Расстояние между рядами выводов: 6.3 мм
• SMD Marking: 7313
• Voltage Vds Typ: 30 В
• Voltage Vgs Max: 1 В
• Voltage Vgs Rds on Measurement: 10 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - ICK SMD A 5 SA
• Fischer Elektronik - WLK 5
• Roth Elektronik - RE932-01