HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS Даташит IGBT, ISOPLUS247 — Даташит

IXYS IXDR35N60BD1

Наименование модели: IXDR35N60BD1

10 предложений от 10 поставщиков
IXDR Series 600 Vce 38 A 30 ns t(on) IGBT w/ Optional Diode - ISOPLUS 247
T-electron
Россия и страны СНГ
IXDR35N60BD1
IXYS
576 ₽
ЧипСити
Россия
IXDR35N60BD1
IXYS
644 ₽
Utmel
Весь мир
IXDR35N60BD1
IXYS
по запросу
LifeElectronics
Россия
IXDR35N60BD1
IXYS
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: IXYS

Описание: IGBT, ISOPLUS247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
IGBT with optional Diode
High Speed, Low Saturation Voltage
IXDR 35N60 BD1 VCES = 600 V = 38 A IC25 VCE(sat) typ = 2.2 V
C G
ISOPLUS 247TM

Спецификации:

  • Тип транзистора: NPT
  • Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
  • Корпус транзистора: ISOPLUS-247
  • Корпус: ISOPLUS-247
  • Fall Time Tf: 70 нс
  • Junction to Case Thermal Resistance A: 1°C/ Вт
  • Max Current Ic Continuous a: 38 А
  • Pin Configuration: Copack (FRD)
  • Power Dissipation: 125 Вт
  • Rise Time: 70 нс
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: NPN
  • Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IXDR35N60BD1 - IXYS IGBT, ISOPLUS247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России