Datasheet Intersil HFA3127 — Даташит
| Производитель | Intersil |
| Серия | HFA3127 |
Ultra High Frequency Transistor Arrays
Datasheets
HFA3046, HFA3096, HFA3127, HFA3128 Datasheet
PDF, 429 Кб, Версия: 2017-12-14
Выписка из документа
Цены
 Купить HFA3127 на РадиоЛоцман.Цены — от 90 до 2 082 ₽35 предложений от 21 поставщиков Массив биполярных транзисторов, NPN, 8 В, 37 мА, 150 мВт, 130 hFE, SOIC | |||
| HFA3127B Renesas | 90 ₽ | ||
| HFA3127B Renesas | 95 ₽ | ||
| HFA3127BZ Renesas | от 1 806 ₽ | ||
| HFA3127MJ883 Intersil | по запросу | ||
Корпус / Упаковка / Маркировка
| HFA3127B | HFA3127B96 | HFA3127BZ | HFA3127BZ96 | HFA3127R | HFA3127R96 | HFA3127RZ | HFA3127RZ96 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| N | 1 | 2 | 3 | 4 | 5 | 6 | 7 | 8 |
| | | |  | | | | |
| Корпус | 16 Ld SOIC Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld SOIC T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN T+R Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN Габаритный чертеж корпуса | 16 Ld QFN T+R Габаритный чертеж корпуса |
| Индекс корпуса | M16.15 | M16.15 | M16.15 | M16.15 | L16.3X3 | L16.3X3 | L16.3X3 | L16.3X3 |
| Пиковая температура пайки | 240°C | 240°C | 260°C | 260°C | 240°C | 240°C | 260°C | 260°C |
| Количество выводов | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 | 16 |
| Семейство | SOICN | SOICN | SOICN | SOICN | QFN | QFN | QFN | QFN |
Параметры
| Parameters / Models | HFA3127B | HFA3127B96 | HFA3127BZ | HFA3127BZ96 | HFA3127R | HFA3127R96 | HFA3127RZ | HFA3127RZ96 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CCB | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF |
| CEB | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF | 0.5 pF |
| Количество каналов | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Description | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
| FT | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz | 8 GHz |
| HFE | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 | 70 |
| ICBO | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA | 0.1 nA |
| ICEO | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA | 2 nA |
| IOS | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA | N/A µA |
| NF | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB | 3.5 dB |
| NPN or PNP | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN | NPN |
| Количество каналов | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 | 5 |
| Рабочий диапазон температур | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 | от -55 до 125 |
| Qualification Level | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard | Standard |
| V(BR) CBO (V) | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 | 18 |
| V(BR) CEO (V) | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 | 12 |
| V(BR) EBO (V) | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 | 6 |
| VOS (max) | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV | 5 mV |
Экологический статус
| HFA3127B | HFA3127B96 | HFA3127BZ | HFA3127BZ96 | HFA3127R | HFA3127R96 | HFA3127RZ | HFA3127RZ96 | |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RoHS | Совместим | Совместим | Совместим | Совместим |
Другие варианты исполнения
Модельный ряд
Серия: HFA3127 (8)
Классификация производителя
- Space & Harsh Environment > Harsh Environment > Transistor Arrays
