HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet PMN27UN - NXP Даташит Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457 — Даташит

NXP PMN27UN

Наименование модели: PMN27UN

12 предложений от 12 поставщиков
Compliant Surface Mount 1.7 mm 1 mm 3.1 mm 4.535924 g 14.5 ns Lead Free
T-electron
Россия и страны СНГ
PMN27UN
NXP
15 ₽
AiPCBA
Весь мир
PMN27UN,135
NXP
21 ₽
ЭИК
Россия
PMN27UN,135
NXP
30 ₽
Flash-Turtle
Весь мир
PMN27UN,135
NXP
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: NXP

Описание: Полевой транзистор, N CH, 20 В, 5.7 А, SOT457

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
PMN27UN
TrenchMOSTM ultra low level FET
M3D302
Rev.

01 -- 27 September 2002
Product data

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • Continuous Drain Current Id: 5.7 А
  • Drain Source Voltage Vds: 20 В
  • On Resistance Rds(on): 0.027 Ом
  • Rds(on) Test Voltage Vgs: 4.5 В
  • Threshold Voltage Vgs Typ: 700 мВ
  • Рассеиваемая мощность: 1.75 Вт
  • Рабочий диапазон температрур: -55°C ... +150°C
  • Корпус транзистора: SOT-457
  • Количество выводов: 6
  • SVHC: No SVHC (20-Jun-2011)

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Analog Devices - ADP3623ARDZ-RL
  • Electrolube - SMA10SL

На английском языке: Datasheet PMN27UN - NXP MOSFET, N CH, 20 V, 5.7 A, SOT457

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России