Datasheet SKM200GB126D - Semikron Даташит IGBT MODULE, DUAL, 1200 В — Даташит

Купить SKM200GB126D на РадиоЛоцман.Цены — от 2 995 до 10 672 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков Insulated Gate Bipolar Transistor, 260A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, CASE D56, SEMITRANS3-7
Стандарт СИЗ Россия	SKM200GB126D Semikron	2 995 ₽	Купить
Триема Россия	SKM200GB126D Semikron	7 172 ₽	Купить
Akcel Весь мир	SKM200GB126D Semikron	по запросу	Купить
Кремний Россия и страны СНГ	SKM200GB126D	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Semikron

Описание: IGBT MODULE, DUAL, 1200 В

Спецификации:

• Полярность транзистора: N Channel
• DC Collector Current: 260 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.15 В
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
• Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

  +150°C

• Корпус транзистора: SEMITRANS 3
• Количество выводов: 7
• External Depth: 61.4 мм
• Внешняя ширина: 105 мм
• Количество транзисторов: 2
• Тип корпуса: SEMITRANS 3
• Способ монтажа: Screw
• Тип транзистора:
• Av Current Ic: 260 А
• Current Ic Continuous a Max: 260 А
• Current Ic Continuous b Max: 190 А
• Current Temperature: 25°C
• Fixing Centres: 93 мм
• Fixing Hole Diameter: 5.4 мм
• Power Dissipation Pd: 220 Вт
• Pulsed Current Icm: 200 А
• Rise Time: 40 нс
• SMD Marking: SEMITRANS 3
• Voltage: 1.2 кВ
• Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть