Сверхмалошумящий HEMT FHX35LG — это транзистор с высокой подвижностью электронов (HEMT), предназначенный для усилителей общего назначения с низким уровнем шума и высоким коэффициентом усиления в диапазоне частот 2–18 ГГц. Это устройство упаковано в ...
Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Драйвер ворот H-Bridge для автомобильной промышленности L99H92 предназначен для управления 4 внешними N-канальными MOSFET-транзисторами в конфигурации с одним H-мостом или двумя независимыми полумостами для управления двигателями постоянного тока в ...
Повышающий преобразователь постоянного тока с постоянной частотой и в режиме тока ADP1621 представляет собой контроллер повышающего преобразователя с фиксированной частотой, широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и токовым режимом. Он управляет ...
Повышающий преобразователь постоянного тока с постоянной частотой и в режиме тока ADP1621 представляет собой контроллер повышающего преобразователя с фиксированной частотой, широтно-импульсной модуляцией (ШИМ) и токовым режимом. Он управляет ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Силовой МОП-транзистор -30 В - 50 А, 25 мОм, одиночный P-канал, логический уровень TO-220 Этот силовой МОП-транзистор предназначен для выдерживания высоких энергий в лавинном и коммутационном режимах. Энергоэффективная конструкция также включает ...
Источник опорного напряжение 2,5 В с низким рабочим током Описание В ZRC250 используется схема с запрещенной зоной, обеспечивающая прецизионное опорное напряжение микромощности 2,5 В. Устройство доступно в небольшом корпусе для поверхностного ...
Источник опорного напряжение 2,5 В с низким рабочим током Описание В ZRC250 используется схема с запрещенной зоной, обеспечивающая прецизионное опорное напряжение микромощности 2,5 В. Устройство доступно в небольшом корпусе для поверхностного ...
Источник опорного напряжение 2,5 В с низким рабочим током Описание В ZRC250 используется схема с запрещенной зоной, обеспечивающая прецизионное опорное напряжение микромощности 2,5 В. Устройство доступно в небольшом корпусе для поверхностного ...
Источник опорного напряжение 2,5 В с низким рабочим током Описание В ZRC250 используется схема с запрещенной зоной, обеспечивающая прецизионное опорное напряжение микромощности 2,5 В. Устройство доступно в небольшом корпусе для поверхностного ...
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
Кремниевый МОП-транзистор с P-каналом, низкочастотный усилитель мощности, комплементарная пара с 2SJ160, 2SJ161 и 2SJ162. Не рекомендуется для новых проектов
