Datasheet BUP313D - Infineon Даташит IGBT, TO-218 — Даташит

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, TO-218

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
Infineon
IGBT With Antiparallel Diode
BUP 313D
Preliminary data
· Low forward voltage drop · High switching speed · Low tail current · Latch-up free · Including fast free-wheel diode Pin 1 G Type BUP 313D Maximum Ratings Parameter Collector-emitter voltage Collector-gate voltage Symbol Values 1200 1200 Unit V Pin 2 C Ordering Code Q67040-A4228 Pin 3 E

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• Max Voltage Vce Sat: 3.2 В
• Max Power Dissipation: 200 Вт
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 1200 В
• Корпус транзистора: TO-218AB
• Количество выводов: 3
• SVHC: Cobalt dichloride (18-Jun-2010)
• Av Current If: 18 А
• Корпус: TO-218AB
• Current Ic @ Vce Sat: 15 А
• Current Temperature: 25°C
• Lead Spacing: 2.54mm
• Max Current Ic Continuous a: 32 А
• Max Junction Temperature Tj: 150°C
• Max Power Dissipation Ptot: 200 Вт
• Min Junction Temperature, Tj: -55°C
• Количество транзисторов: 1
• Pin Format: 1G, 2C, 3E
• Power Dissipation: 200 Вт
• Power Dissipation Pd: 200 Вт
• Pulsed Current Icm: 64 А
• Rise Time: 45 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Dow Corning - 2265931
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 H
• Fischer Elektronik - FK 243 MI 247 O
• Fischer Elektronik - SK 145/25 STS-220
• Fischer Elektronik - WLK 5