Datasheet GT30J301 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT30J301
TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
GT30J301
HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS
The 3rd Generation Enhancement-Mode High Speed Low Saturation Voltage : tf = 0.30µs (Max.) : VCE (sat) = 2.7V (Max.) Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: HP SW IGBT
• Max Voltage Vce Sat: 2.7 В
• Collector-to-Emitter Breakdown Voltage: 600 В
• Корпус транзистора: TO-3P (N)
• Количество выводов: 3
• Корпус: TO-3P (N)
• Max Current Ic Continuous a: 30 А
• Pin Format: GCE
• Power Dissipation: 155 Вт
• Power Dissipation Pd: 155 Вт
• Pulsed Current Icm: 60 А
• Rise Time: 120 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5