Datasheet STGE200NB60S - STMicroelectronics Даташит IGBT, SOT-227 — Даташит

Купить STGE200NB60S на РадиоЛоцман.Цены — от 853 до 8 496 ₽ 25 предложений от 15 поставщиков N-канальный igbt-транзистор на 600 в, 150 а семейства powermeshTM
Стандарт СИЗ Россия	STGE200NB60S STMicroelectronics	853 ₽	Купить
T-electron Россия и страны СНГ	STGE200NB60S STMicroelectronics	1 875 ₽	Купить
ChipWorker Весь мир	STGE200NB60S STMicroelectronics	4 262 ₽	Купить
ТМ Электроникс Россия	STGE200NB60S STMicroelectronics	от 6 826 ₽	Купить

Подробное описание

Производитель: STMicroelectronics

Описание: IGBT, SOT-227

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
STGE200NB60S
N-channel 150A - 600V - ISOTOP Low drop PowerMESHTM IGBT
General features
TYPE VCES VCE(sat) (typ.) 1.2V 1.3V IC 150A 200A TC 100°C 25°C
STGE200NB60S 600V

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT Module
• DC Collector Current: 200 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 1.2 В
• Power Dissipation Max: 600 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: ISOTOP
• Current Ic Continuous a Max: 150 А
• Package / Case: ISOTOP
• Power Dissipation: 600 Вт
• Power Dissipation Pd: 600 Вт
• Pulsed Current Icm: 400 А
• Rise Time: 112 нс
• Termination Type: Screw
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Nettlefolds - MB04040010007FA
• SCHRODER - 13459