HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IKW08T120 - Infineon Даташит IGBT, N, 1200 В, 8 А, TO-247 — Даташит

Infineon IKW08T120

Наименование модели: IKW08T120

38 предложений от 21 поставщиков
Биполярные транзисторы с изолированным затвором низкая потеря встроенный диод 1200В 8А
IKW08T120FKSA1
Infineon
65 ₽
Akcel
Весь мир
IKW08T120FKSA1
Infineon
от 111 ₽
ЧипСити
Россия
IKW08T120
Infineon
180 ₽
IKW08T120FKSA1
Infineon
от 242 ₽
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, N, 1200 В, 8 А, TO-247

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
TrenchStop Series
®
IKW08T120
Low Loss DuoPack : IGBT in TrenchStop® and Fieldstop technology with soft, fast recovery anti-parallel EmCon HE diode
C

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 16 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.2 В
  • Power Dissipation Max: 70 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1200 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +150°C
  • Корпус транзистора: TO-247
  • Current Ic Continuous a Max: 8 А
  • Количество транзисторов: 1
  • Package / Case: TO-247
  • Power Dissipation: 70 Вт
  • Termination Type: Through Hole
  • Полярность транзистора: N Channel
  • Voltage Vces: 1200 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

  • Fischer Elektronik - WLK 5
  • Fischer Elektronik - WLPG 02

На английском языке: Datasheet IKW08T120 - Infineon IGBT, N, 1200 V, 8 A, TO-247

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России