Datasheet GT30J324 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(N) — Даташит
Наименование модели: GT30J324
Купить GT30J324 на РадиоЛоцман.Цены — от 489 до 500 ₽ 10 предложений от 10 поставщиков TRANSISTOR 30 A, 600 V, N-CHANNEL IGBT, 2-16C1C, 3 PIN, Insulated Gate BIP Transistor | |||
| GT30J324 Toshiba | 489 ₽ | ||
| GT30J324 Toshiba | 500 ₽ | ||
| GT30J324 Toshiba | по запросу | ||
| GT30J324 Toshiba | по запросу | ||
Подробное описание
Производитель: Toshiba
Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(N)
Скачать Data SheetКраткое содержание документа:
GT30J324
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT30J324
High Power Switching Applications Fast Switching Applications
· · · The 4th generation Enhancement-mode Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) High speed: tf = 0.05 µs (typ.) Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.) : Eoff = 0.80 mJ (typ.) · · Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.) FRD included between emitter and collector Unit: mm
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 30 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
- Power Dissipation Max: 170 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
- Корпус транзистора: TO-3P (N)
- Current Ic Continuous a Max: 30 А
- Fall Time Typ: 50 нс
- Junction Temperature Tj Max: 150°C
- Junction to Case Thermal Resistance A: 0.735°C/W
- Package / Case: TO-3P (N)
- Power Dissipation: 170 Вт
- Power Dissipation Pd: 170 Вт
- Pulsed Current Icm: 60 А
- Rise Time: 70 нс
- Termination Type: Through Hole
- Полярность транзистора: N Channel
- Voltage Vces: 600 В
RoHS: есть
Дополнительные аксессуары:
- Fischer Elektronik - TF 3 2
- Fischer Elektronik - WLK 5
