Datasheet GT50J325 - Toshiba Даташит IGBT, 600 В, TO-3P(LH) — Даташит

Купить GT50J325 на РадиоЛоцман.Цены — от 76 до 38 343 ₽ 23 предложений от 19 поставщиков Биполярный транзистор IGBT, 600 В, 50 А, 240 Вт (Recommended replacement: GT30J341)
AliExpress Весь мир	GT50JR22 TO-3P TO247 50JR22 GT50N322 GT35J321 35J321 GT50J327 GT40WR21 GT50J325 GT50J301 GT50J322 GT50N324 GT50N321	76 ₽	Купить
Стандарт СИЗ Россия	GT50J325 Toshiba	185 ₽	Купить
PL-1 Россия	GT50J325	от 373 ₽	Купить
LifeElectronics Россия	GT50J325Q Toshiba	по запросу	Купить

Подробное описание

Производитель: Toshiba

Описание: IGBT, 600 В, TO-3P(LH)

Скачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
GT50J325
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
GT50J325
High Power Switching Applications Fast Switching Applications
· · · The 4th generation Enhancement-mode Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference) · High speed: tf = 0.05 µs (typ.) · Low switching loss: Eon = 1.30 mJ (typ.) : Eoff = 1.34 mJ (typ.) · · Low saturation Voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.) FRD included between emitter and collector Unit: mm

Спецификации:

• Тип транзистора: IGBT
• DC Collector Current: 50 А
• Collector Emitter Voltage Vces: 2.45 В
• Power Dissipation Max: 240 Вт
• Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
• Operating Temperature Range: -55°C to +150°C
• Корпус транзистора: TO-3P (LH)
• Current Ic Continuous a Max: 50 А
• Fall Time Typ: 50 нс
• Junction Temperature Tj Max: 150°C
• Junction to Case Thermal Resistance A: 0.521°C/W
• Package / Case: TO-3P (LH)
• Power Dissipation: 240 Вт
• Power Dissipation Pd: 240 Вт
• Pulsed Current Icm: 100 А
• Rise Time: 70 нс
• Termination Type: Through Hole
• Полярность транзистора: N Channel
• Voltage Vces: 600 В

RoHS: есть

Дополнительные аксессуары:

• Fischer Elektronik - TF 3 2
• Fischer Elektronik - WLK 5