Datasheet IKD04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252 — Даташит
Наименование модели: IKD04N60R
Купить IKD04N60R на РадиоЛоцман.Цены — от 43 до 89 ₽ 8 предложений от 8 поставщиков Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R | |||
IKD04N60R Infineon | 43 ₽ | ||
IKD04N60R Infineon | 84 ₽ | ||
IKD04N60R Infineon | 88 ₽ | ||
IKD04N60R TR | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252
Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #
Спецификации:
- Тип транзистора: IGBT
- DC Collector Current: 4 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
- Power Dissipation Max: 75 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
- Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
- Корпус транзистора: TO-252
- Количество выводов: 3
RoHS: есть