Муфты электромонтажные от производителя Fucon

Datasheet IKD04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252 — Даташит

Infineon IKD04N60R

Наименование модели: IKD04N60R

8 предложений от 8 поставщиков
Trans IGBT Chip N-CH 600V 8A 75000mW Automotive 3Pin(2+Tab) DPAK T/R
T-electron
Россия и страны СНГ
IKD04N60R
Infineon
43 ₽
ЧипСити
Россия
IKD04N60R
Infineon
84 ₽
AiPCBA
Весь мир
IKD04N60R
Infineon
88 ₽
Кремний
Россия и страны СНГ
IKD04N60R TR
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 4 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
  • Power Dissipation Max: 75 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-252
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IKD04N60R - Infineon IGBT+ DIODE,600V,4A,TO252

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России