HRP-N3 - серия источников питания с максимальной пиковой мощностью в 350% от MEAN WELL

Datasheet IKU04N60R - Infineon Даташит IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251 — Даташит

Infineon IKU04N60R

Наименование модели: IKU04N60R

12 предложений от 9 поставщиков
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-251, GREEN, PLASTIC, IPAK-3
ChipWorker
Весь мир
IKU04N60R
Infineon
42 ₽
AiPCBA
Весь мир
IKU04N60R
Infineon
42 ₽
ЧипСити
Россия
IKU04N60R
Infineon
86 ₽
ЭИК
Россия
IKU04N60R
Infineon
96 ₽
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! "# $$% !
"
&'
" #
" $ !( #

Спецификации:

  • Тип транзистора: IGBT
  • DC Collector Current: 4 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.1 В
  • Power Dissipation Max: 75 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Operating Temperature Range: -40°C to +175°C
  • Корпус транзистора: TO-251
  • Количество выводов: 3

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet IKU04N60R - Infineon IGBT+ DIODE,600V,4A,TO251

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России