Аналоги реле Phoenix Contact, Finder, Omron, ABB, Schneider

Datasheet 2MBI75S-120-50 - Fuji Electric Даташит IGBT, сдвоенный, MODULE, 75 А, 1200 В, NPT — Даташит

Fuji Electric 2MBI75S-120-50

Наименование модели: 2MBI75S-120-50

Acme Chip
Весь мир
2MBI75S-120-50
Fujitsu
по запросу
Сравнительное тестирование аккумуляторов EVE Energy и Samsung типоразмера 18650

Подробное описание

Производитель: Fuji Electric

Описание: IGBT, сдвоенный, MODULE, 75 А, 1200 В, NPT

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
2MBI 75S-120
IGBT MODULE ( S-Series ) Features
· NPT-Technology · Square SC SOA at 10 x IC · High Short Circuit Withstand-Capability · Small Temperature Dependence of the Turn-Off Switching Loss · Low Losses And Soft Switching
2-Pack IGBT 1200V 2x75A
Outline Drawing

Спецификации:

  • Module Configuration: Dual
  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 100 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 2.6 В
  • Рассеиваемая мощность: 600 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 7
  • Current Ic @ Vce Sat: 75 А
  • Current Ic Continuous a Max: 100 А
  • Current Temperature: 25°C
  • External Depth: 34 мм
  • Внешняя длина / высота: 30 мм
  • Внешняя ширина: 92 мм
  • Fall Time tf: 450 нс
  • Full Power Rating Temperature: 25°C
  • Напряжение изоляции: 2.5 кВ
  • Температура перехода максимальная: 150°C
  • Количество транзисторов: 2
  • Тип корпуса: M232
  • Рассеиваемая мощность максимальная: 600 Вт
  • Pulsed Current Icm: 200 А
  • Rise Time: 350 нс
  • Способ монтажа: Screw
  • Voltage Vces: 1.2 кВ

RoHS: есть

Варианты написания:

2MBI75S12050, 2MBI75S 120 50

На английском языке: Datasheet 2MBI75S-120-50 - Fuji Electric IGBT, DUAL, MODULE, 75 A, 1200 V, NPT

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России