На склад поступили жидко-кристаллические индикаторы и дисплеи от KSE

Datasheet FP30R06W1E3 - Infineon Даташит IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM — Даташит

Infineon FP30R06W1E3

Наименование модели: FP30R06W1E3

23 предложений от 13 поставщиков
Модули биполярных транзисторов с изолированным затвором (IGBT) N-CH 600V 37A
Akcel
Весь мир
FP30R06W1E3BOMA1
Infineon
от 1 823 ₽
ЧипСити
Россия
FP30R06W1E3
Infineon
2 174 ₽
ChipWorker
Весь мир
FP30R06W1E3_B11
Infineon
3 617 ₽
FP30R06W1E3
Infineon
по запросу
Выбираем схему BMS для заряда литий-железофосфатных (LiFePO4) аккумуляторов

Подробное описание

Производитель: Infineon

Описание: IGBT, LOW POWER, 600 В, 30 А, EASYPIM

data sheetСкачать Data Sheet

Краткое содержание документа:
! ! ( )
" " * +
## ' #
$ $
%

Спецификации:

  • Полярность транзистора: N Channel
  • DC Collector Current: 30 А
  • Collector Emitter Voltage Vces: 1.55 В
  • Power Dissipation Max: 115 Вт
  • Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 600 В
  • Рабочий диапазон температрур: -40°C ...

    +150°C

  • Корпус транзистора: Module
  • Количество выводов: 23

RoHS: есть

На английском языке: Datasheet FP30R06W1E3 - Infineon IGBT, LOW POWER, 600 V, 30 A, EASYPIM

Электронные компоненты. Бесплатная доставка по России