Datasheet FP40R12KE3 - Infineon Даташит IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM — Даташит
Наименование модели: FP40R12KE3
Купить FP40R12KE3 на РадиоЛоцман.Цены — от 2 162 до 26 515 ₽ 28 предложений от 20 поставщиков БТИЗ массив и модульный транзистор, PIM Three Phase Input Rectifier, 55 А, 2.3 В, 200 Вт, 125 °C | |||
FP40R12KE3 FP40R12KT3 FP25R12KT3 FP25R12KE3 BSM50GP60 BSM10GP60 BSM15GP60 BSM20GP60 BSM30GP60 BSM15GP120-B2 IGBT | 2 162 ₽ | ||
FP40R12KE3G | от 2 307 ₽ | ||
FP40R12KE3BOSA1 Infineon | 10 418 ₽ | ||
FP40R12KE3 Infineon | по запросу |
Подробное описание
Производитель: Infineon
Описание: IGBT MODULE, 1200 В, ECONOPIM
Краткое содержание документа:
Technische Information / Technical Information
IGBT-Module IGBT-Modules
FP40R12KE3
Elektrische Eigenschaften / Electrical properties
Hцchstzulдssige Werte / Maximum rated values
Спецификации:
- Module Configuration: Seven
- Полярность транзистора: N Channel
- DC Collector Current: 55 А
- Collector Emitter Voltage Vces: 2.3 В
- Power Dissipation Max: 200 Вт
- Collector Emitter Voltage V(br)ceo: 1.2 кВ
- Рабочий диапазон температрур: -40°C ...
+125°C
- Корпус транзистора: EconoPIM
- Количество выводов: 24
- Тип корпуса: Econopim
- Способ монтажа: Solder
- Тип транзистора:
- Current Ic Continuous a Max: 55 А
- Forward Current If(AV): 40 А
- Forward Surge Current Ifsm Max: 315 А
- Power Dissipation: 200 Вт
- Power Dissipation Ptot Max: 200 Вт
- Pulsed Current Icm: 80 А
- Repetitive Reverse Voltage Vrrm Max: 1600 В
- Voltage Vces: 1.2 кВ
RoHS: есть